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  之前已经做过64M到128MRAM的扩展，但是当时是两块64M的合成128M，这在以前的博文里有说明。并且很容易就能搞定，但是这次换了一个单片128M的RAM，居然一直显示是64M，只显示一半的RAM，一直以为是硬件连线的问题，所以好几天都没有去管，但是最后却发现是自己没有深入考虑，自责一下。

 

  平台用的是三星的SMDK2450，想将两片64M的SDRAM换成一片128M的DDR RAM。之前一直调不过，是因为，三星的memory layout都是基于64M的RAM，而我之前所做的扩展，两块64M的RAM是相对独立的，物理地址相连，或者物理地址不相连，但是虚拟映射的地址是相连，这样的话，不会影响到ISR中断向量表，栈基址。但是如果是单片128M的RAM的话，由于没有修改memory layout，这样的话ISR中断向量表就会处于128M的中间位置，这样的话就无法识别出128M的内存，如果仅仅修改config.bib，将RAM的长度扩大，这样的话，虽然可以识别到128M的内存，但是它是不能工作的，系统会挂掉。

 

  所以需要重新设计128M的memory layout。修改config.bin，修改如下，利用环境变量来区分：

IF BSP_DDR128M

    RAM     81B00000  05E00000  RAM;扩展64M的RAM ELSE     RAM     81B00000  01E00000  RAM；这个是原来的状态，编译系统的时候只需要设置环境变量就可以生成想要的系统，也有利于保持原貌。 ENDIF

;这部分也需要修改，需要重新设置显存的地址，不仅这里需要改，代码里与显存相关的也需要改。后面会有说明。

IF BSP_DTR_DDR128M

    ARGS    80020000  00000800  RESERVED     SLEEP    80028000  00002000  RESERVED     EDBG     80030000  00020000  RESERVED     DISPLAY  87900000  00600000  RESERVED       CF_DMA_BUF      87FE0000  00020000  RESERVED ELSE     ARGS    80020000  00000800  RESERVED     SLEEP    80028000  00002000  RESERVED     EDBG     80030000  00020000  RESERVED     DISPLAY  83900000  00600000  RESERVED       CF_DMA_BUF      83FE0000  00020000  RESERVED ENDIF

这样就完成了对config.bib的修改。

其实128M的RAM，RAS，CAS（行列选通）都会有改变，所以这部分需要先设置，在S3c2450.inc里会有这方面的设置。

如下：

IF :DEF: BSP_DDR128M（这里RAS与CAS只需该bank0就行，bank1不管也行，因为只有一个片选，这里我全改了）

RASBW0                EQU        3            ;    RAS addr 00=11bit,01-12bit,10=13bit, 11=14bit RASBW1                EQU        3            ;    RAS addr 00=11bit,01-12bit,10=13bit, 11=14bit CASBW0                EQU        2            ;    CAS addr 00=8bit,01-9bit,10=10bit, 11=11bit CASBW1                EQU        2            ;    CAS addr 00=8bit,01-9bit,10=10bit, 11=11bit ADDRCFG0            EQU        0            ;     addre configure                                                                                                                         ;       00={BA,RAS,CAS}, 01={RAS,BA,CAS} ADDRCFG1            EQU        0            ;     addre configure  ELSE RASBW0                EQU        2            ;    RAS addr 00=11bit,01-12bit,10=13bit, 11=14bit RASBW1                EQU        2            ;    RAS addr 00=11bit,01-12bit,10=13bit, 11=14bit CASBW0                EQU        2            ;    CAS addr 00=8bit,01-9bit,10=10bit, 11=11bit CASBW1                EQU        2            ;    CAS addr 00=8bit,01-9bit,10=10bit, 11=11bit ADDRCFG0            EQU        1            ;     addre configure                                     ;       00={BA,RAS,CAS}, 01={RAS,BA,CAS} ADDRCFG1            EQU        1            ;     addre configure  ENDIF

在这个文件还需要配置RAM的类型，比如我之前用的是SDRAM，现在变成了DDR RAM，这部分比较简单。

硬件方面的设置配置完成后，就需要对ISR中断向量表的设置。寻找和中断向量表相关的文件

三星的板子的机制就是上电加载stepldr，然后stepldr引导eboot，eboot引导os启动，所以RAM这部分的东西在上电后就需要用到，

在stepldr的目录下有option.h,option.inc这里面就涉及到ISR向量表位置问题。如下：

option.h中的改动。

#ifdef BSP_DDR128M(对应128M RAM的地址空间)

#define _ISR_STARTADDRESS        (0x37ffff00) #define _MMUTT_STARTADDRESS    (0x37ff8000) #define _STACK_BASEADDRESS    (0x37ff8000) #define HEAPEND                    (0x37ff0000) #else（对应64M RAM的地址空间） #define _ISR_STARTADDRESS        (0x33ffff00) #define _MMUTT_STARTADDRESS    (0x33ff8000) #define _STACK_BASEADDRESS    (0x33ff8000) #define HEAPEND                    (0x33ff0000) #endif

option.inc文件里的改动

IF :DEF: BSP_DDR128M（这里是汇编里的宏定义，以前的文章有提到。）

_ISR_STARTADDRESS    EQU        0x37ffff00 ELSE _ISR_STARTADDRESS    EQU        0x33ffff00 ENDIF

在S3c2450.inc文件里也有这部分的设置：（和上面相似）

 IF :DEF: BSP_DDR128M

_ISR_STARTADDRESS    EQU        0x37ffff00     ELSE _ISR_STARTADDRESS    EQU        0x33ffff00     ENDIF

处理完这些就要映射128M RAM和在汇编里初始化RAM

在oemaddrtab_cfg.inc文件里对整个128MRAM的地址映射

       IF :DEF: BSP_DDR128M（虚拟地址，物理地址，长度）

       DCD     0x80000000, 0x30000000, 128     ; 128 MB DRAM BANK 6        ELSE        DCD     0x80000000, 0x30000000, 64      ; 64 MB DRAM BANK 6        ENDIF

下面进行初始化，在stepldr和eboot目录下都有startup.s文件，这里会对RAM初始化。

stepldr目录下的文件修改为：

   [BSP_DDR128M_S=1

    ldr        r9, =0x08000000        ; 128MB of RAM.     ]     [BSP_DTR_DDR128M_S=0     ldr        r9, =0x04000000        ; 64MB of RAM.     ]

这是汇编下的宏定义格式其中BSP_DDR128M_S我在S3c2450.inc里有定义，这部分内容可以参见ARM汇编指令部分。

GBLA    BSP_DDR128M_S

    IF :DEF: BSP_DDR128M BSP_DDR128M_S    SETA    1    ; 1     ELSE BSP_DDR128M_S    SETA    0    ; 0     ENDIF

eboot中的文件修改：这部分和stepldr里的操作是相似的。下面红字为初始化的代码，将r3赋值为128.

    [ BSP_DDR128M_S=1 ;

    mov     r3, #128     ]     [ BSP_DTR_DDR128M_S=0 ;     mov     r3, #64     ] 45    mov     r2, r1          ; (r2) = virtual address to map Bank at

    cmp     r2, #0x20000000:SHR:BANK_SHIFT

    add     r2, r10, r2, LSL #BANK_SHIFT-18

    strlo    r0, [r2]

    add     r0, r0, #0x00100000     ; (r0) = PTE for next physical page

    subs     r3, r3, #1

    add     r1, r1, #1

    bgt     %b45

以上基本完成了对DDR RAM的配置，但是还有config中显存的设置，由于config中显存地址已经改变，所以代码中也需要改变。

这部分地址是在头文件image_cfg.h中定义的，所以只需要修改这部分就行。

#ifdef BSP_DDR128M

#define IMAGE_FRAMEBUFFER_UA_BASE       0xA7900000 #define IMAGE_FRAMEBUFFER_DMA_BASE      0x37900000 #else #define IMAGE_FRAMEBUFFER_UA_BASE       0xA3900000 #define IMAGE_FRAMEBUFFER_DMA_BASE      0x33900000 #endif

这里改完之后还要修改platform.reg，因为这里也牵涉到显存地址的问题。

IF BSP_DDR128M

    "LCDVirtualFrameBase"=dword:A4100000     "LCDPhysicalFrameBase"=dword:34100000 ELSE     "LCDVirtualFrameBase"=dword:A0100000     "LCDPhysicalFrameBase"=dword:30100000 ENDIF

显存地址部分，其实就是在其基础上增加64M就行。

以上基本就是我修改单片128M DDR RAM的做法。可能比较凌乱，但是大家只要明白内存结构图需要重新分配，

文件基本就解决一半了。

个中可能会出现错误，希望指点，扔砖。

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